日前，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界十分關(guān)注。這一事件會不會阻礙我國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展？我們?nèi)绾螒獙Ω鞣N沖擊？人民日報記者采訪了工業(yè)和信息化部有關(guān)負責人及行業(yè)專家。

出口管制會不會阻礙中國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展步伐？

國家發(fā)改委宏觀經(jīng)濟研究院常務副院長王昌林表示，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，將對我國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來一定影響，但不會阻礙中國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展步伐。

王昌林認為，這是因為中國在全球高技術(shù)產(chǎn)業(yè)鏈中處于重要地位。如果美國大規(guī)模限制對中國關(guān)鍵技術(shù)的出口，無疑將對中國造成影響，也勢必同時也打擊美國和日本、韓國的電子信息產(chǎn)業(yè)。而且，還要看到，美國等發(fā)達國家制造業(yè)主要是靠高技術(shù)制造業(yè)支撐的，如果高技術(shù)產(chǎn)業(yè)大幅下滑，還將影響美國相關(guān)的研發(fā)服務等行業(yè)和納斯達克等資本市場，從而對美國經(jīng)濟和全球經(jīng)濟產(chǎn)生重大影響。

我國高技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新取得重要進展，具備加快做大做強的諸多優(yōu)勢。王昌林分析，我國已經(jīng)形成了體系完整、配套齊全、能力巨大的產(chǎn)業(yè)體系，并初步形成了一批創(chuàng)新型龍頭企業(yè)；經(jīng)過多年的努力，目前我國在芯片、操作系統(tǒng)等領(lǐng)域擁有一批自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)和產(chǎn)品；國內(nèi)市場規(guī)模和發(fā)展?jié)摿薮蟆?/p>

王昌林表示，實踐證明，貿(mào)易摩擦和技術(shù)壁壘難以阻礙一個國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。上世紀70年代，在半導體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，美國和日本爆發(fā)了多年的貿(mào)易戰(zhàn)，但并沒有阻礙日本半導體產(chǎn)業(yè)的崛起。又如，前些年美國等國家對我國光伏產(chǎn)業(yè)實施了“雙反”調(diào)查，也沒有阻礙我國光伏產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展步伐。

中國有條件、有能力、有辦法應對沖擊干擾嗎？

工業(yè)和信息化部部長苗圩表示，當前，我國在完善基礎(chǔ)設(shè)施、豐富人力資本、完備產(chǎn)業(yè)體系、廣闊市場空間、高效動員體制等方面形成了突出優(yōu)勢。我國產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平越來越接近全球前沿，整體處于技術(shù)追趕后半程，高鐵、特高壓輸變電、通信設(shè)備、網(wǎng)絡應用等部分領(lǐng)域躋身世界先進行列。

“盡管中興通訊事件暴露出我國在傳統(tǒng)芯片中存在短板，但我們有條件、有能力、有辦法應對創(chuàng)新發(fā)展過程中的沖擊和干擾。”中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院裝備研究所所長左世全說，我國的技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢體現(xiàn)在四個方面：規(guī)模雄厚的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢、世界上最大的制造業(yè)需求潛力、集中力量辦大事的制度優(yōu)勢和無可比擬的人才資源優(yōu)勢。

工信部電子司有關(guān)負責人介紹，近年來，我國芯片設(shè)計業(yè)規(guī)模和質(zhì)量穩(wěn)步提升，細分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)較大突破，國產(chǎn)芯片對關(guān)鍵領(lǐng)域的支撐能力顯著增強，先進工藝生產(chǎn)線建設(shè)速度不斷加快，封裝測試業(yè)接近國際先進水平。

工信部副部長羅文指出，當前要突出抓好制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，面向行業(yè)關(guān)鍵共性技術(shù)，解決行業(yè)反映突出的專用設(shè)備、材料、工藝等共性問題，跨越科技成果工程化、產(chǎn)業(yè)化的“死亡之谷”。

目前我國高端芯片研制進展如何？

十三五國家重點研發(fā)計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，我國近年來不間斷地支持光電子領(lǐng)域的科技創(chuàng)新，取得了豐碩的創(chuàng)新性成果。

祝寧華介紹，僅從“863”計劃的十二五規(guī)劃來看，國家針對寬帶通信、高性能計算機、骨干網(wǎng)絡、光交換、接入網(wǎng)、無線通信和微波光波融合等領(lǐng)域方向中的光電子器件進行了重點部署。“這些研發(fā)項目有很多都是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。”

祝寧華分析，當前我國在光電子高端芯片研制上已具備基本條件。據(jù)了解，為實現(xiàn)自主創(chuàng)新發(fā)展，我國于2008年實施了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”，經(jīng)過9年攻關(guān)，成功打造了我國集成電路制造業(yè)創(chuàng)新體系。專項實施前，國內(nèi)集成電路制造最先進的量產(chǎn)工藝為130納米，研發(fā)工藝為90納米。9年來，我國主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發(fā)成功并實現(xiàn)量產(chǎn)，22、14納米先導技術(shù)研發(fā)取得突破，已研制成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產(chǎn)品，性能達到國際先進水平。

十三五國家重點研發(fā)計劃寬帶通信和新型網(wǎng)絡重點專項專家組成員、北京大學教授李紅濱表示，只要我們堅持已有的開放、競爭合作、共同發(fā)展道路不動搖，集中政府、研發(fā)機構(gòu)、企業(yè)的優(yōu)勢力量，相信用不了太久，在產(chǎn)業(yè)鏈高端——核心芯片上也必然會取得同樣令世人矚目的成就。

（來源：人民日報客戶端 記者：趙展慧、王政、馮華）